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SQ3469EV-T1_BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3469EV-T1_BE3
- 商品编号
- C6230409
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 294pF |
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(C_iss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(U_IS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):R_on × Q_g-快速开关
应用领域
- 消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接、感应加热、电机驱动-电池充电器