- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ443EP-T2_GE3
SQJ443EP-T2_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ443EP-T2_GE3
- 商品编号
- C6230434
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤
- P沟道MOSFET
- SQJ457EP-T2_GE3
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- MS27467T17B26SL