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SIR626LDP-T1-RE3
N沟道，60 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR626LDP-T1-RE3
- 商品编号
- C6228287
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 186A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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