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SISS04DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A 电流:50.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS04DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6228310
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.5A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 在紧凑且散热增强型封装中实现极低的导通电阻(RDS(on))
- 优化的栅极电荷(Qg)、栅漏电荷(Qgd)以及Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 高功率密度DC/DC转换器
- 或门(OR-ing)
- 负载开关