SI6423DQ-T1-BE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:8.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6423DQ-T1-BE3
- 商品编号
- C6228332
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-无卤-TrenchFET功率MOSFET
应用领域
-负载开关