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SIS4608DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:12.4A 电流:35.7A
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- 描述
- 特性：RoHS合规，无卤。 TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS4608DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6228302
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.4A；35.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.8mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W；27.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.7pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 进行100% 栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 初级侧开关
- 隔离式DC/DC转换器
- 全桥