SIHU6N65E-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHU6N65E-GE3
- 商品编号
- C6228139
- 商品封装
- IPAK(TO-251)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电源-电机驱动控制
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