商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
商品概述
功率MOSFET技术是威世(Vishay)先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新“最先进”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复dV/dt能力。
功率MOSFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势,如电压控制、快速开关、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
表面贴装封装通过减少杂散电感和电容来增强电路性能。DPAK(TO - 252)表面贴装封装将功率MOSFET的优势引入到需要印刷电路板表面贴装的大批量应用中。表面贴装选项IRFR9012、SiHFR9012采用16 mm带装。该器件的直引脚选项IRFU9012、SiHFU9012被称为IPAK(TO - 251)。
它们非常适合有限散热要求的应用,如计算机及外设、电信设备、直流 - 直流转换器以及广泛的消费产品。
商品特性
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 工作温度可达175 °C
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
应用领域
- 计算机及外设-电信设备-直流-直流转换器-消费产品
- IXTA60N20X4
- IXTA80N12T2
- IXTF1R4N450
- IXTH110N25T
- IXTH160N10T
- IXTH32N65X
- IXTK120N20P
- IXTP10P15T
- IXTP32P05T
- SXT22410DA48-24.000M
- SXT22410DB27-30.000M
- SXT22410DB38-27.000M
- SXT22410DB38-27.120M
- SXT22411CC17-18.432M
- SXT22411CC17-19.200M
- SXT22410DB48-24.000M
- SXT22411CC17-37.400M
- SXT22411CC38-13.000M
- SXT22411CC38-14.31818M
- SXT22411CC38-16.000M
- SXT22411CC38-19.200M

