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IXTA56N15T实物图
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IXTA56N15T

IXTA56N15T

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商品型号
IXTA56N15T
商品编号
C5773363
商品封装
TO-263AA​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
属性参数值
连续漏极电流(Id)56A
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))2.5V

商品概述

功率MOSFET技术是威世(Vishay)先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新“最先进”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复dV/dt能力。

功率MOSFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势,如电压控制、快速开关、易于并联以及电气参数的温度稳定性。

表面贴装封装通过减少杂散电感和电容来增强电路性能。DPAK(TO - 252)表面贴装封装将功率MOSFET的优势引入到需要印刷电路板表面贴装的大批量应用中。表面贴装选项IRFR9012、SiHFR9012采用16 mm带装。该器件的直引脚选项IRFU9012、SiHFU9012被称为IPAK(TO - 251)。

它们非常适合有限散热要求的应用,如计算机及外设、电信设备、直流 - 直流转换器以及广泛的消费产品。

商品特性

  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 工作温度可达175 °C
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

应用领域

  • 计算机及外设-电信设备-直流-直流转换器-消费产品

数据手册PDF