- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
- IXTP10P15T
- IXTP32P05T
- IXTP4N80P
- IXTP86N20T
- IXTQ180N10T
- SXT22410DB48-24.000M
- SXT22411CC17-37.400M
- SXT22411CC38-13.000M
- SXT22411CC38-14.31818M
- SXT22411CC38-16.000M
- SXT22411CC38-19.200M
- SXT22411CC38-50.000M
- SXT22410DC07-27.120M
- JAN1N5640A/TR
- SXT22410DC07-48.000M
- SXT22411DA07-13.000M
- JAN1N5664A/TR
- SXT22410DC16-32.000M
- JAN1N6052A/TR
- SXT22411DA17-13.560M
- SXT22410DC16-48.000M