商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
- UL认证封装
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 雪崩额定
- 耐用的PolarPTM工艺
- 低栅极电荷(QG)
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-负载开关应用-燃油喷射系统