IXTR20P50P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 国际标准封装-耐用的PolarP™工艺-雪崩额定-快速本征二极管-低封装电感-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
- 高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器