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IXTX40P50P实物图
  • IXTX40P50P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTX40P50P

P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET

描述
特性:国际标准封装。 坚固的PolarPTM工艺。 雪崩额定。 快速本征二极管。 低封装电感。 易于安装。应用:高端开关。 推挽放大器
商品型号
IXTX40P50P
商品编号
C5773480
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V
耗散功率(Pd)890W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)205nC@10V
输入电容(Ciss)11.5nF
反向传输电容(Crss)93pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)1.15nF

商品特性

-国际标准封装-耐用的PolarPTM工艺-雪崩额定-快速本征二极管-低封装电感-易于安装-节省空间-高功率密度

应用领域

-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器

数据手册PDF