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IXTT4N150HV引脚图
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IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

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商品型号
IXTT4N150HV
商品编号
C5773475
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))6Ω@10V
耗散功率(Pd)280W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)44.5nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.576nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 高阻断电压
  • 高压封装
  • 快速本征二极管
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高压电源
  • 电容放电
  • 脉冲电路

数据手册PDF

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