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IXTT24P20引脚图
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IXTT24P20

IXTT24P20

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商品型号
IXTT24P20
商品编号
C5773467
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC
输入电容(Ciss)4.2nF
反向传输电容(Crss)350pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)830pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低RDS(ON) HDMOSTM 工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 低封装电感(<5 nH),易于驱动和保护

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 自动测试设备

数据手册PDF