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IXTP4N80P引脚图
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IXTP4N80P

IXTP4N80P

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商品型号
IXTP4N80P
商品编号
C5773425
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))3.4Ω@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))5.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.2nC
输入电容(Ciss)750pF
反向传输电容(Crss)6.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)70pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护

应用领域

  • 直流-直流转换器-开关模式和谐振模式电源-激光驱动器-直流斩波器-交流和直流电机驱动器

数据手册PDF