嘉立创上市
购物车0
IXTP32P05T引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP32P05T

IXTP32P05T

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
IXTP32P05T
商品编号
C5773413
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC
输入电容(Ciss)1.975nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)315pF
栅极电压(Vgs)±15V

商品概述

RM20N60LD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
  • 快速本征二极管
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用

数据手册PDF