- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 快速本征二极管
- 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器
- 电池充电器应用
- IXTP32P05T
- IXTP4N80P
- IXTP86N20T
- IXTQ180N10T
- SXT22410DB48-24.000M
- SXT22411CC17-37.400M
- SXT22411CC38-13.000M
- SXT22411CC38-14.31818M
- SXT22411CC38-16.000M
- SXT22411CC38-19.200M
- SXT22411CC38-50.000M
- SXT22410DC07-27.120M
- JAN1N5640A/TR
- SXT22410DC07-48.000M
- SXT22411DA07-13.000M
- JAN1N5664A/TR
- SXT22410DC16-32.000M
- JAN1N6052A/TR
- SXT22411DA17-13.560M
- SXT22410DC16-48.000M
- JAN1N6060A/TR