商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 硅芯片置于直接敷铜(DCB)基板上
- 隔离安装面
- 4500 V 电气隔离
- 模塑环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高压电源-电容放电应用-脉冲电路-激光和 x 射线发生系统