商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 高电流处理能力
- 快速本征整流器
- 低RDS(ON)
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源
- IXTH160N10T
- IXTH32N65X
- IXTK120N20P
- IXTP10P15T
- IXTP32P05T
- IXTP4N80P
- IXTP86N20T
- SXT22410DB27-30.000M
- SXT22410DB38-27.000M
- SXT22410DB38-27.120M
- SXT22411CC17-18.432M
- SXT22411CC17-19.200M
- SXT22410DB48-24.000M
- SXT22411CC17-37.400M
- SXT22411CC38-13.000M
- SXT22411CC38-14.31818M
- SXT22411CC38-16.000M
- SXT22411CC38-19.200M
- SXT22411CC38-50.000M
- SXT22410DC07-27.120M
- JAN1N5640A/TR

