IXFA56N30X3
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 21A、200V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.14Ω
- 低栅极电荷（典型值27nC）
- 低Crss（典型值30pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器-开关电源-电机控制