IXFA56N30X3
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷QG
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制
- IXFA72N30X3
- IXFH120N25X3
- IXFH14N100Q2
- IXFH26N50
- JAN1N3033DUR-1
- SXT22410BB27-22.1184M
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- SXT22410BB38-12.000M
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- SXT22410BB48-27.120M
- SXT22411BA27-13.000M
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- SXT22410BB48-32.000M
- SXT22411BA27-18.432M
- SXT22410CA07-32.000M