IXFR16N120P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.04Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 雪崩额定
- 快速本征二极管
- 易于组装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制