商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.04Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 硅芯片置于直接敷铜陶瓷基板(DCB)上
- 隔离安装面
- 低本征栅极电阻
- 2500V电气隔离
- 国际标准封装
- 快速恢复二极管
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高压开关模式和谐振模式电源-高压脉冲功率应用-激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路-高压DC-DC转换器-高压DC-AC逆变器