商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 硅芯片置于直接敷铜(DCB)基板上
- 隔离安装面
- 2500V~电气隔离
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-直流-直流转换器-开关模式和谐振模式电源-激光驱动器-直流斩波器-交流和直流电机驱动器