商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-miniBLOC封装-电气隔离铜底座-与散热器的耦合电容低,可降低电磁干扰-国际标准封装SOT-227-易于螺丝组装-高阻断能力-最低电阻-雪崩额定值适用于无钳位电感开关(UIS)-芯片厚度减小,热阻低-高阻断能力-低导通电阻-雪崩额定值适用于无钳位电感开关(UIS)-芯片厚度减小,热阻低-增强的总功率密度
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-焊接-感应加热