- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 快速本征二极管
- 低RDS(ON)和 QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用
- IXTA230N075T2
- IXTA24P085T
- IXTA270N04T4
- IXTA380N036T4-7
- IXTA50N25T
- SXT22410CC48-30.000M
- SXT22411CB07-13.000M
- SXT22410CC48-32.000M
- JAN1N4958D
- SXT22410CC48-40.000M
- JAN1N4961C
- SXT22410DA07-26.000M
- JAN1N4962D
- SXT22410DA07-32.000M
- SXT22410DA17-16.000M
- SXT22411CB17-22.1184M
- SXT22411CB27-16.384M
- SXT22410DA27-16.000M
- JAN1N4971C
- SXT22411CB38-19.200M
- SXT22410DA38-16.000M