IXFZ520N075T2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 545nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板（DCB）上的硅芯片
- 隔离基板
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- 高隔离电压（2500V~）
- 175°C工作温度
- 极高的电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 极低的导通状态下的漏源电阻
应用领域
-直流-直流转换器和离线式UPS-初级侧开关-高速功率开关应用