嘉立创上市
购物车0
IXFX250N10P引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFX250N10P

IXFX250N10P

商品型号
IXFX250N10P
商品编号
C5773302
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)250A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)205nC
输入电容(Ciss)16nF
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)4.47nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

WSR200N08A是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSR200N08A符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定
  • 快速本征二极管
  • 低栅极电荷(QG)和低导通电阻(RDS(on))
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动器
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF