商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 550W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 380nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V 电气隔离
- 低漏极到散热片电容(<30pF)
- 低导通电阻(RDS(on))的 HDMOSTM 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
- 快速本征整流器
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 交流电机控制