商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 550W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 380nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装面
- 低本征栅极电阻
- 2500V~电气隔离
- 快速本征整流器
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-DC斩波器-温度和照明控制