商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 塑料包覆成型焊片
- 低RDS(ON)和 QG
- 2500V 电气隔离
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC 转换器
- PFC 电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制
- IXFP5N100P
- IXFQ26N50P3
- IXFQ94N30P3
- IXFR16N120P
- IXFR180N10
- IXFR18N90P
- IXFR24N90P
- IXFR64N50Q3
- IXFT140N10P
- IXFT30N85XHV
- IXFT40N85XHV
- IXFT50N50P3
- SXT22411BB16-25.000M
- SXT22411BB17-40.000M
- JAN1N4495D
- SXT22410CB17-27.000M
- SXT22411BB27-30.000M
- SXT22411BB27-32.000M
- SXT22411BB27-48.000M
- SXT22410CB48-27.000M
- SXT22410CC17-32.000M

