商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V,41A | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用芯导科技（Truesemi）先进的平面条形 DMOS 技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 高耐用性
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 电源管理
- 交流 - 直流转换器
- LED 电视背光源