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IXFN36N60实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN36N60

IXFN36N60

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商品型号
IXFN36N60
商品编号
C5773232
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V,36A
耗散功率(Pd)520W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)325nC@10V
输入电容(Ciss)9nF@25V
反向传输电容(Crss)280pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • JEDEC TO-264 AA,环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级分类
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 低导通电阻(RDS(on))的HDMOST™工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器

应用领域

-直流-直流转换器-同步整流-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-温度和照明控制-低压继电器

数据手册PDF