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IXFH120N25X3引脚图
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IXFH120N25X3

IXFH120N25X3

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商品型号
IXFH120N25X3
商品编号
C5773159
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)480W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)122nC
输入电容(Ciss)7.87nF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.26nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

WSF30P60是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF30P60符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF