- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻(RDS(on))HDMOSTTM 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 快速本征整流器
应用领域
-直流-直流转换器-同步整流-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制-温度和照明控制-低压继电器
- IXFH42N60P3
- IXFH48N60X3
- IXFK110N07
- IXFK250N10P
- IXFK90N60X
- IXFL32N120P
- IXFL34N100
- IXFL82N60P
- IXFN36N60
- SXT22410CA07-32.000M
- SXT22410CA16-26.000M
- SXT22411BA38-24.000M
- SXT22410CA17-12.000M
- SXT22411BA48-12.000M
- SXT22410CA27-25.000M
- SXT22410CA27-38.400M
- SXT22410CA38-20.000M
- SXT22410CA48-48.000M
- SXT22411BB07-26.000M
- SXT22410CB07-20.000M
- SXT22411BB07-48.000M