商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC 转换器
- PFC 电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制