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IXFK98N50P3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFK98N50P3

IXFK98N50P3

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商品型号
IXFK98N50P3
商品编号
C5773217
商品封装
TO-264AA​
包装方式
管装
商品毛重
12.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)98A
耗散功率(Pd)1.3kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)200nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)11pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WSC4N65是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSC4N65符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的Cdv/dt效应抑制能力
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)中的AC/DC电源转换
  • 不间断电源(UPS)
  • 适配器

数据手册PDF