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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFQ20N50P3

IXFQ20N50P3

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商品型号
IXFQ20N50P3
商品编号
C5773251
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用专有平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

商品特性

  • 6.0 A、400 V,栅源电压为 10 V、漏极电流为 3.0 A 时,漏源导通电阻 = 1.1 Ω(最大值)
  • 低栅极电荷(典型值 16 nC)
  • 低反向传输电容(典型值 15 pF)
  • 100% 雪崩测试

应用领域

-开关模式电源-有源功率因数校正 (PFC)-电子灯镇流器

数据手册PDF