商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.83nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 雪崩额定
- 快速本征二极管
- 低栅极电荷（QG）
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源
- 交流电机驱动器
- 高速功率开关应用