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IXFA72N30X3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFA72N30X3

1个N沟道 耐压:300V 电流:72A

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描述
特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
商品型号
IXFA72N30X3
商品编号
C5773150
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
2.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)72A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V,36A
耗散功率(Pd)390W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)340nC@10V
输入电容(Ciss)5.4nF@10V
反向传输电容(Crss)2pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WSR2N65是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSR2N65符合RoHS和绿色产品要求,100%经过易感性雪崩耐量(EAS)测试,具备全面的可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的Cdv/dt效应抑制能力
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)中的AC/DC电源转换
  • 不间断电源(UPS)
  • 适配器

数据手册PDF