商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.25A | |
| 工作电压 | 6.8V~13.2V | |
| 上升时间(tr) | 26ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 双MOSFET驱动用于同步整流桥
- 先进的自适应零直通保护
- 集成LDO，可选择较低的栅极驱动电压（5.75V、6.75V、7.75V），以优化轻负载效率
- 内置36V自举二极管
- 先进的PWM协议（专利申请中），支持PSI模式、二极管仿真和三态操作
- 二极管仿真以增强轻负载效率
- 防止自举电容过充
- 支持高开关频率 - 3A灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
- 集成高压侧栅极至源极电阻，防止因高输入总线dV/dt引起的自开启
- 启动和关机前的POR过压保护
- 电源轨欠压保护
- 扩展底部铜垫以增强散热
- 双扁平无引脚（DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率且更薄
- 无铅（符合RoHS标准）
应用领域
- 高光负载效率电压调节器
- 先进微处理器的核心调节器
- 高电流DC/DC转换器
- 高频率和高效率的VRM和VRD