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TC2320TG-G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:1.2A
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- 描述
- 由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数，无热失控和热致二次击穿现象。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC2320TG-G
- 商品编号
- C624902
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V,1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 110pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF；35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；60pF |
商品概述
TC2320由一个高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC封装。这种增强型（常关）晶体管采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。
Microchip的垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
~~- 低阈值-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流-独立的、电气隔离的N沟道和P沟道
应用领域
- 医疗超声发射机-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器-逻辑电平接口