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TC6215TG-G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和超科（Supertex）成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 超科的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 背对背栅源齐纳二极管
- 4.0V栅极驱动下保证RDS(ON)
- 低阈值
- 低导通电阻
- 独立的N沟道和P沟道
- 电气隔离的N沟道和P沟道
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
应用领域
-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器-逻辑电平接口