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TP5335K1-G
1个P沟道 耐压:350V 电流:85mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP5335K1-G
- 商品编号
- C626657
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 80pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TP5335是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技（Microchip）的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。
商品特性
- 高输入阻抗和高增益
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容(CISS)和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 内置源漏二极管
- 无二次击穿现象
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)
- 固态继电器
- 模拟开关
- 电源管理
- 电信开关