TN2501N8-G
1个N沟道 耐压:18V 电流:400mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2501N8-G
- 商品编号
- C629191
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@3V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
TN2501低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
~~- 低阈值-高输入阻抗-最大低输入电容110 pF-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)-固态继电器-电池供电系统-光伏驱动器-模拟开关-通用线路驱动器-电信开关