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LND150N8-G
1个N沟道 耐压:500V
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- 描述
- 是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- LND150N8-G
- 商品编号
- C629123
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1kΩ@0V,0.5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UTC 15N10是一款N沟道增强型MOSFET，它采用UTC的先进技术，为客户提供最低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。 UTC 15N10适用于高效开关式DC/DC转换器、LCD显示器逆变器和负载开关。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V且漏极电流（ID） = 8 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.08 Ω
- 低栅极电荷（典型值 = 24 nC）
- 低反向传输电容（CRSS）（典型值 = 23 pF）
- 高开关速度
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器
- LCD显示器逆变器
- 负载开关