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TN2540N8-G
1个N沟道 耐压:400V 电流:1A
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- 描述
- 该低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2540N8-G
- 商品编号
- C629195
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
Supertex的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
~~- 低阈值(最大2.0V)-高输入阻抗-低输入电容(最大125pF)-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流-互补的N沟道和P沟道器件
应用领域
- 逻辑电平接口-适用于TTL和CMOS-固态继电器-电池供电系统-光伏驱动器-模拟开关-通用线路驱动器-电信开关