温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TN2130K1-G
1个N沟道 耐压:300V 电流:85mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2130K1-G
- 商品编号
- C626652
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@4.5V,120mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |