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TP5322K1-G
1个P沟道 耐压:220V 电流:700mA
- 描述
- TP5322低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP5322K1-G
- 商品编号
- C626656
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 220V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |