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TN5325K1-G
1个N沟道 耐压:250V
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- 描述
- 利用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN5325K1-G
- 商品编号
- C626653
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Ta) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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