温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TC6320TG-G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 由高压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，采用 8 引脚 SOIC 和 DFN 封装。两个 MOSFET 都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。是互补、高速、高压、栅极钳位的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 对，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC6320TG-G
- 商品编号
- C624992
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。两个MOSFET均集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，这在高压脉冲发生器应用中是理想的选择。它是一对互补、高速、高压、带栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET，采用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技的垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 集成栅源电阻
- 集成栅源齐纳二极管
- 低阈值
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏电流
- N沟道和P沟道电气独立隔离
应用领域
- 高压脉冲发生器
- 放大器
- 缓冲器
- 压电换能器驱动器
- 通用线路驱动器
- 逻辑电平接口