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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款低阈值、增强型(常关)晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力,以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有 MOS 结构的特点,该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用,这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 双 N 沟道器件
- 低阈值——最大 2.0V
- 高输入阻抗
- 低输入电容——最大 125pF
- 快速开关速度
- 低导通电阻
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 逻辑电平接口——非常适合 TTL 和 CMOS
- 固态继电器
- 电池供电系统
- 光伏驱动器
- 模拟开关
- 通用线路驱动器
- 电信开关