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LND250K1-G
1个N沟道 耐压:500V 电流:13mA
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- 描述
- 是高压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于高压应用，如常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- LND250K1-G
- 商品编号
- C625119
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1kΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF |
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 出色的热稳定性
- 内置源漏二极管
- 高输入阻抗和低 CISS
- ESD栅极保护
应用领域
- 固态继电器
- 常开开关
- 转换器
- 电源电路
- 恒流源
- 输入保护电路