TC8020K6-G-M937

Superox TC8020采用56引脚QFN封装，包含六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET。所有MOSFET均集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，这在高压脉冲发生器应用中十分理想。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用了先进的垂直DMOS结构和Superox久经考验的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。Superox的垂直DMOS FET非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度。

• 高压垂直DMOS技术
• 集成栅源电阻
• 集成栅源齐纳二极管
• 50V时典型峰值输出 +/-3.5A
• 低阈值、低导通电阻
• 低输入和输出电容
• 快速开关速度
• N沟道和P沟道MOSFET对电气隔离

-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器-逻辑电平接口