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TC8020K6-G-M937

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: TC8020K6-G-M937
商品编号: C626614
商品封装: QFN-56-EP(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	6个N沟道+6个P沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	5.3Ω@10V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V
	栅极电荷量(Qg)	-

商品概述

Superox TC8020采用56引脚QFN封装,包含六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET。所有MOSFET均集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位,这在高压脉冲发生器应用中十分理想。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用了先进的垂直DMOS结构和Superox久经考验的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力,同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿。Superox的垂直DMOS FET非常适合广泛的开关和放大应用,这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度。

商品特性

高压垂直DMOS技术
集成栅源电阻
集成栅源齐纳二极管
50V时典型峰值输出 +/-3.5A
低阈值、低导通电阻
低输入和输出电容
快速开关速度
N沟道和P沟道MOSFET对电气隔离

应用领域

-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器-逻辑电平接口

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	50pF
	反向传输电容(Crss)	7pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	18pF
	栅极电压(Vgs)	-